本文標(biāo)題："如何有效利用光刻技術(shù)刻制襯底上的導(dǎo)體圖形"

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如何有效利用光刻技術(shù)刻制襯底上的導(dǎo)體圖形

    鍍敷 金屬淀積中的電鍍(使用外加電源)或化學(xué)鍍(由化學(xué)
反應(yīng)提供電勢(shì))常用于形成薄膜電路的導(dǎo)電圖形。鍍膜性質(zhì)取決于
電鍍?nèi)芤旱某煞帧㈦婂儣l件、溶液純度和電鍍槽的形狀。要使鍍膜
性能和質(zhì)量符合要求并保持穩(wěn)定，就必須嚴(yán)格控制上述參數(shù)。
    少量的化學(xué)物能嚴(yán)重影響鍍層的結(jié)構(gòu)、表面質(zhì)量和硬度。此
外，要求金屬離子的濃度保持在規(guī)定的范圍內(nèi)。因此，大量的鍍液
對(duì)于防止鍍槽過(guò)快失效有利。電鍍過(guò)程中的電流密度應(yīng)保持在根
據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定的范圍內(nèi)。否則，可能影響鍍層結(jié)構(gòu)，或者鍍槽元素?fù)?br />進(jìn)鍍膜和出現(xiàn)不均勻表面(小結(jié)節(jié))。
    光刻在薄膜電路的制備中，利用光刻技術(shù)刻制襯底上的導(dǎo)
體圖形。當(dāng)制作復(fù)雜的電路時(shí)，需要10次光刻才能完成。一個(gè)圖
形的制作步驟(包括把光致抗蝕劑均勻轉(zhuǎn)壓或噴射在襯底表面上):抗
蝕劑烘烤、掩模曝光、抗蝕劑顯影、干燥，曝光的金屬部分刻蝕以及
后清除(剝?nèi)?殘余的光致抗蝕劑。
    對(duì)于目前2-5密耳的薄膜電路線寬來(lái)說(shuō)，基本上可以不考慮
光致杭蝕劑厚度(3-4微米)所引起的圖形不清晰度。在這樣厚
度的光致抗蝕劑層上，針孔不是主要問(wèn)題。要緊的是光致杭蝕劑
的厚度必須保證蓋住粗糙的(與拋光的硅片相比較)陶瓷表面上所
有的尖凸點(diǎn)。

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