本文標題："提升因IC薄化與多角化后很易于封裝"
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半導體封裝多以轉注成型將樹脂擠入模穴內。充填過程中流動樹脂會對金線產生
拖曳力而導致金線偏移，甚至互相接觸，是造成缺限的一大隱憂。隨著IC薄化和
多腳化的趨勢，此問題益加的重要，是一個及需要
克服的難題。目前研究多暫略金線存在，或簡化為二維，
針對三維金線，設計加裝透明觀察窗之轉注成型模，攝影記錄樹脂在模穴內的充填
過程，并改變金線端點相對高度、膠口位置等變因，做一系列的流動觀察
以數值分析預測金線偏移，并以量測驗的結果印證。
究觀察發現，三維金線的存在會對流場產生相當的影響，金線數目越多，
影響越大。數值流場分析忽略金線的存在，會造成誤差。
金線偏移量會隨著雷諾數增大而增加，對正方形模穴而言，澆口位置在邊的交角
比澆口在
邊長中央可得到較小的金線偏移。金線一端上置型模座較兩端平置型偏移量小。
同時探討在轉注成型的制程加上壓縮步驟的果效，試以
改良目前傳統轉注成型，提升因IC薄化與多角化后之可封裝性所產生的封
裝問題。實驗發現在極慢壓縮速度，金線偏移確實大幅減小。
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