本文標(biāo)題："銀是目前金屬中電阻率低的-電子顯微鏡簡介"

“10奈米以下內(nèi)連結(jié)導(dǎo)線技術(shù)與挑戰(zhàn)”主要探討10奈米以下內(nèi)連結(jié)導(dǎo)線材料與技術(shù)包含光連結(jié)相關(guān)技術(shù)。

銀是目前所知金屬中電阻率低的(1.59 mW-cm)，相較于銅(1.67 mW-cm) 稍具優(yōu)勢，且銀的抗電致遷移能力與銅相當(dāng)，

主要是銀在矽跟二氧化矽的高溫?cái)U(kuò)散行為較銅低幾個(gè)數(shù)量級之多，這特性使得銀比銅用在未來小尺寸栓塞填充時(shí)的疑慮更低、更具潛力，

可取代目前主流導(dǎo)電材料：鎢(W，tungsten)，成為栓塞的主要技術(shù)。

“材料楊氏系數(shù)對NMOS電晶體元件電性的影響”主要探討材料楊氏系數(shù)來強(qiáng)化應(yīng)變矽功效的方法，

以張應(yīng)力CESL應(yīng)用于高楊氏系數(shù)的間隙壁材料時(shí)，確實(shí)比低楊氏系數(shù)的間隙壁材料更能提高所誘發(fā)元件通道張應(yīng)力的效果，

并獲得實(shí)驗(yàn)證實(shí)。在同樣拉伸應(yīng)力CESL于90奈米NMOS的驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，對高楊氏系數(shù)的氮化矽間隙壁材料確實(shí)比低楊氏系數(shù)的二氧化矽間隙壁材料，

會有增強(qiáng)元件汲極驅(qū)動(dòng)電流(ID,sat)的效果。而元件應(yīng)力模擬結(jié)果顯示間隙壁的楊氏系數(shù)亦有同樣應(yīng)力加強(qiáng)效應(yīng)，

但材料波松比對于應(yīng)力傳輸效應(yīng)并不會有明顯貢獻(xiàn)，特別是對複合間隙壁材料應(yīng)用于閘極長度越小，低楊氏系數(shù)的間隙壁材料產(chǎn)生應(yīng)力緩衝現(xiàn)象則會變得越明顯。

“奈米半導(dǎo)體材料技術(shù)：描繪你我未來的生活”主要探討矽(Si)奈米線生醫(yī)感測元件，在疾病檢測上的應(yīng)用，

原理是利用矽奈米線的表面效應(yīng)，可以把奈米線表面上微小的生物訊號轉(zhuǎn)化成為可分辨的電訊號，未來也可以應(yīng)用在生醫(yī)電子系統(tǒng)方面。

另外，也介紹新式氧化鋅(ZnO)奈米材料在能源轉(zhuǎn)換元件及發(fā)光元件上的應(yīng)用成果，氧化鋅材料具備壓電特性及良好的發(fā)光特性，

介紹奈米發(fā)電機(jī)的基本雛形以及奈米LED的相關(guān)研究成果。

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