本文標(biāo)題："在粒子氧化物被腐蝕造成過(guò)多的漏電流的原因"

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在粒子氧化物被腐蝕造成過(guò)多的漏電流的原因

    因?yàn)橐恍┢骷墓軞な倾~，所以銅的淀積可以作為金屬淀積
使晶體管損壞的一個(gè)實(shí)際例子。當(dāng)器件輸出功率使片溫升高時(shí)，
銅首先淀積在器件的高摻雜區(qū)，周圍環(huán)境中的氛又加強(qiáng)了銅的淀
積過(guò)程。淀積的體積約為1立方微米，重量約9x10-”克或約為
7 x 101銅原子。
    粒子的影響 一 在微電子器件的制造中，微粒可以造成和粒子
大小相當(dāng)?shù)尼樋缀推渌毕荨D2-6a為兩顆小到直徑為0.3微
米的粒子，在圖形形成前恰好嵌入硅平面器件光刻膠的薄層中;圖
2-3b為在正常的光刻圖形形成后，粒子卻使氧化層暴露出來(lái);圖
2-6o為由于正常光刻圖形上的氧化層要被腐蝕，因此在腐蝕時(shí)，
在粒子所開窗口的氧化物也被腐蝕，而使硅的pn結(jié)暴露出來(lái)，這
就是造成過(guò)多的漏電流的主要原因。

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